硅晶片厂净化工程公司设计装建

硅晶片厂?空调系统设计

 设计概况
      硅晶片是由硅资料加工而成的一-片片像镜子一样光亮的圆片，是出产半导体集成电路芯片的原资料。硅晶片出产蕴含硅单晶棒出产和硅晶片出产两大部门，重要工序为:单晶棒成长- +单晶棒裁切和检测-→表径磨削-→切片- +倒角(圆边) - +研磨/研磨片查抄→蚀刻(化学蚀刻、PC-CVD、AP-CVD等工艺) - +PTA 热处置-背面危险处置→抛光(ML粗抛、ML精抛)-→洗净→品质查抄-→净化包装。
从单晶棒成长到表径磨削为硅单晶棒出产工序，切片以来的流程为硅晶片出产工序。
出产工序环境节造要求
      该硅片厂出产4~6in硅晶片，年产量为480万片。硅晶片用于分立器件、功率元件和特种集成电路的造作。出产工序环境节造要求见表6-16。
净化空调系统
1.空调系统
1)切片室、倒角室、研磨片室仅有温度节造要求，设风冷热泵分体柜式空调机(PAC)来保障房间温度要求。室内机就近搁置在车间内，选取双层百叶风口侧送风方式;室表机搁置在屋面上。切片室的排风量较大，新风选取直接蒸发式热泵型屋顶空调机S1-1和S1-2来补充。因车间有防尘要求，风冷热泵分体柜式空调机回风口处设中效空气过滤器(大气尘计数效能:对于≥lμm粒子应≥60% ),屋顶式空调机需设两级过滤器，如图6-21所示。
2)炉室、BSD室仅有温度节造要求，设风冷电热分体柜式空调机(PAC)来保障房间温度要求。室内机就近搁置在车间内，选取方形散流器顶送风方式;室表机搁置在屋面上。新风由相邻无尘车间的正压作用渗入而来。车间有防尘要求，于风冷电热分体柜式空调机回风口处设中效空气过滤器(大气尘计数效能:对于≥1μm粒子应≥60%)。
3)磨片查抄室有温度和湿度节造要求，设风冷电热分体柜式空调机(PAC)来保障房间温度要求，室内机就近搁置在车间内，选取方形散流器顶送风方式;室表机搁置在屋面上。新风经新风机组(MAU-1、 2)处置后，送到室内，相对湿杜咨新风机组保障，新风机组与净化系统共用。车间有防尘要求，于风冷电热分体柜式空调机回风口处设中效空气过滤器(大气尘计数效能:对于≥1μm粒子应≥60%)，新风机组内设粗、中效空气过滤器。
2.净化系统
净化系统用的新风空调机组(MAU) 和循环空调机组(AHU)的冷媒选取6~ 11C的冷冻水，加热选取0.2MPa的蒸汽，加湿选取0.1MPa的干净蒸汽，干净蒸汽由纯水经干净蒸汽产生器产生。
1) CP室净化级别为7级，换气次数取为30次/h, CP室工艺设备用酸量较大，选取全新风空调机组(MAU-3) +高效空气过滤器送风口(HEPABOX) 的空调方式。其气流流程为:新风人丁→粗效空气过滤器+中效空气过滤器-◆预加热器+表冷器+加热器- +干净蒸汽加湿- +送风机- +送风管-→高效空气过滤器送风口-干净区。
2) ML室净化级别为7级，换气次数取为30次/h,选取新风机组(MAU) +循环机组(AHU) +高效空气过滤器送风口(HEPABOX) 的空调方式。新风来自共用MAU-1、2新风组。
3) CP/CVD室、 LP-CVD 室、净化包装间干净级别为6级，换气次数取为50次/h,选取新风机组(MAU) +循环机组(AHU) +高效空气过滤器送风口(HEPABOX) 的空调方式。新风来自MAU-1、2新风组。

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